日本媒体日刊工业新闻15日报导，Panasonic计划在旗下北陆工厂内整备出一条活用8吋晶圆、且采用0.18μm制程的产线，并计划于2013年1-3月期间开始量产一款新型微控制器（ MCU ）产品，该款MCU产品将内藏被视为非挥发性记忆体次世代产品的ReRAM（ 可变电阻式记忆体 ）；ReRAM为一种即便关掉电源数据资料也不会消失的记忆体。
报导指出，Panasonic所将量产的MCU产品可藉由0.9V的电源电压进行动作，和Panasonic现行内藏Flash Memory的MCU相比，其低速运转时的动作电流可减半，且待机时的动作电流可删减约8成至0.1uA以下。报导指出，就内藏非挥发性记忆体的MCU来看，Panasonic所将量产的产品的低耗电效能将达业界顶级水准。
Panasonic于2月23日宣布，已研发出处理速度（写入速度）达全球（业界）最高的新型ReRAM产品。Panasonic指出，该公司利用0.18μm制程试作出双层交叉开关矩阵（Cross- Point ）构造，成功将ReRAM记忆容量提升至8Mbit、处理速度达全球最快的443MB/s，而藉由此次的新研发，可望实现ReRAM的高速化及大容量化。