（一线晶圆厂正纷纷以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鳍式电晶体(FinFET)量产脚步。包括IBM授权技术阵营中的联电、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆预计在2014年以14奈米FinFET前段闸极结合20奈米后段金属导线制程的方式达成试量产目标；而台积电为提早至2015年跨入16奈米FinFET世代，初版方案亦可望采用类似的混搭技术，足见此设计方式已成为晶圆厂进入FinFET世代的共通策略。
联华电子市场行销处处长黄克勤提到，各家厂商在16/14奈米FinFET的技术发展齐头并进，未来势将引发更激烈的市场竞争。
联华电子市场行销处处长黄克勤表示，FinFET制程可有效控管电晶体闸极漏电流问题，并提高电子移动率，因而能大幅提升晶片运算效能同时降低功耗，现已成为全球晶圆厂新的角力战场。为抢占市场先机，各家厂商也相继祭出新的奈米制程混搭方案，期透过20奈米晶圆后段金属导线(BEOL)制程技术，加快14或16奈米FinFET方案的量产脚步。
黄克勤进一步分析，14或16奈米FinFET对晶圆代工厂而言系重大技术革新，无论是立体电晶体结构设计、材料掺杂比例、温度和物理特性掌握的难度均大幅攀升；尤其在BEOL方面，要在短时间内将金属导线制程微缩至1x奈米的密度相当不容易，因此各家晶圆厂遂计划在晶圆前段闸极制程(FOEL)先一步导入FinFET，并沿用20奈米BEOL方案，以缩短开发时程和减轻投资负担。
其中，联电、格罗方德和三星已先后在2012年与IBM签订14奈米FinFET合作计划，并分别预定于2014年底～2015年，以14奈米FinFETFOEL混搭20奈米MOEL/BOEL的方式导入量产。
黄克勤认为，混搭方案将是推进半导体制程提早1年演进到1x奈米FinFET的关键布局，不仅能加速设计与测试流程，亦有助控制成本，预估晶圆代工业者初期都将采用此一架构，待技术日益成熟后才会全面升级为纯16或14奈米制程。现阶段，联电已授权引进IBM在半导体材料研究方面的Know-how与技术支援，将用来优化自行研发的14和20奈米混搭制程，将于2015年正式投产。
格罗方德全球业务行销暨设计品质执行副总裁MikeNoonen也强调，该公司将于2014年底抢先推出14nm-XM制程，可充分利用现有20奈米设备和技术资源，降低FinFET研发和制造成本，并简化客户新一代处理器的设计难度，尽速实现以立体电晶体结构减轻闸极漏电流的目标，进而延伸摩尔定律(Moore"sLaw)至新境界。
此外，台积电近期也宣布2014年量产20奈米后，将提前1年至2015年发表16奈米FinFET制程，业界也预估其第一个量产版本将导入20奈米BEOL混搭方案，才能顺利在短短1年内，从20奈米跨入16奈米世代。由此可见，一线晶圆代工业者在挺进FinFET领域的时间和成本压力下，采用混搭结构已成为一门显学。