拥有专利技术的RadLo?低α粒子电镀阳极，显著减少由α粒子引起的软错误故障频率
霍尼韦尔宣布推出基于霍尼韦尔专利技术的新型RadLo? 低α 粒子电镀阳极产品，帮助降低由于α 粒子放射而引起的半导体数据错误发生率。
新电镀阳极是RadLo产品系列的扩充，它采用了霍尼韦尔专利的量测和精制技术，用于半导体封装晶圆突块工艺。
“我们已经通过一些主要的分包商开始批量生产新型低α 粒子电镀阳极产品，同时也已在OEM设备厂商完成了认证程序。”霍尼韦尔电子材料先进金属和聚合物业务产品总监克里斯?李（Chris Lee）表示，“新产品能够迅速获得认证和采用表明我们的产品能满足客户的关键需要，帮助他们解决所面临的技术挑战和难题。”
半导体封装材料中的α粒子放射会引起存储单元中的数据错误并造成软错误，最终导致手机、平板、服务器、游戏机以及其他终端设备的运行故障。随着半导体尺寸的不断减小以及功能需求的不断增加，芯片对软错误的敏感度不断提高。为了有效解决这个问题，半导体封装材料的设计人员需要借助低α 粒子放射的材料，例如霍尼韦尔RadLo系列产品。
在极低的α 粒子放射层级中，由于杂质及宇宙射线等背景放射物的影响，测量α射线通量非常困难。为解决这一问题，霍尼韦尔采取了严格的量测和程序控管。
随着半导体产业倒装芯片封装的发展，使用电镀的晶圆凸块工艺变得日益普遍。霍尼韦尔凭借自身的独特优势，为晶圆突块工艺提供高纯度等级的电镀阳极(>99.99% )，包括低α铅(Pb)、低α锡(Sn)以及低α铜(Cu)等。我们提供多种α粒子放射等级，包括每平方厘米每小时小于0.002次的含锡阳极靶材。