日前，高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者RF Micro Devices, Inc.宣布已通过并生产RF3932，这种无与伦比的75瓦特高效率氮化镓(GaN)射频功率晶体管(UPT)比砷化镓和硅工艺技术的性能更出色。
RF3932是继最近140瓦特RF3934推出之后的续推产品，RF3934是RFMD的UPT系列中输出功率最高的器件。RFMD计划在2011年第一季度推出第三个氮化镓UPT器件，以扩大其氮化镓功率晶体管系列，为RFMD客户提供更多的选择。目前，RF3932可提供样品，并已实现量产。
RFMD的氮化镓功率晶体管支持“绿色”架构，可降低能源消耗，提高网络运营商的热能管理和网络效率。RF3932的工作频率极为广泛(直流到3GHz)，可提供超过65%的高峰值效率。而且，RF3932整合了原本封装在外部的简单、经优化的匹配网络，在单个放大器中提供宽带增益和功率性能优势。RF3932采用两端含铅的密闭陶瓷法兰封装，利用RFMD先进的散热和功耗技术提供卓越的热稳定性和传导性。根据整体的功率要求，75瓦特的RF3932和140瓦特的RF3934是驱动器及/或输出阶段的最佳选择。
RFMD多市场产品部(MPG)总裁Bob Van Buskirk说：“RFMD非常高兴能够扩展我们基于氮化镓的产品系列，为各种终端市场提供行业领先的功率性能。RFMD的氮化镓产品系列明确地反映出我们追求技术和产品领导地位的承诺，我们希望引进更多具有出色的功率密度、高效率、高可靠性和“绿色”能耗优势的氮化镓产品。”
RFMD的48伏高功率密度氮化镓半导体工艺具有高射频功率密度和效率、低电容和高热能传导性。这些特点使精密高效的高功率放大器(HPAs)得到发展及广泛应用，这些应用包括私人移动无线通信(PMR)、3G/4G无线基础设施、ISM(工业、科学和医疗)、军事和民用雷达以及CATV传输网络。