电装、丰田中央研究所、昭和电工在于东京有明国际会展中心举行的“nano tech 2013”（第12届国际纳米技术综合展）上，展出了共同开发的口径为6英寸的SiC基板。该基板的特点在于位错（缺陷）密度为数千个/cm2，“比市售SiC基板低一位数”（电装解说员）。这三家公司的目标是，在2014年度内，“先开发完成可供家电等领域实际使用的6英寸基板”（电装解说员）。
展出的6英寸基板使用的是在没形成外延膜的裸晶圆上使母材晶体（种晶）生长的“RAF生长法”。RAF生长法是电装和丰田中央研究所于2004年共同开发出的SiC结晶生长技术，通过沿位错和平行方向切割晶体、使晶体再生长来减少位错。展品的数千个/cm2的位错密度“如果用于SiC-SBD（肖特基势垒二极管），是能够以高成品率来制造的水平”（电装解说员）。今后将以应用于SiC-MOSFET等为目标，进一步减少位错缺陷。
目前市售SiC基板的价格方面，4英寸产品为20万～50万日元左右，最近开始样品供货的6英寸产品的价格估计将远高于这一水平。电装等三家公司今后将提高晶体生长速度、改进晶圆的切割方法，以确立能够低成本量产6英寸产品的技术。
电装解说员称， 近几年，铁路及空调等领域开始采用SiC器件，因此“汽车业对SiC的看法有所改变，采用的可能性不断加大”。估计最快在2015年就会出现配备SiC器件的技术测评用成车。解说员还表示，SiC器件要想广泛应用到发动机控制部分等，“我个人估计是在2019～2020年”。（记者：大下淳一，《日经电子》）