去年此时是联发科的四核3G套片狂缺，今年此时高通4G/LTE套片狂缺，风水轮流转，真可谓年年岁岁景相似，岁岁年年人不同。唯智能手机市场就这样一年又一年的保持着狂热的热度，终久不衰。因为，没有哪一个电子市场有手机市场的体量和刺激，这是一个无数人为之疯狂的市场。
现在能够稳定供应多模多频4G/LTE套片的就是高通，联发科的4GSoC还没有量产(MODEM刚刚量产)，最快要到下半年。
Marvell的LTE/4GSoC已有量产，但据说也供不应求，博通的LTESoC比高通与Marvell要慢一拍，他们策略上还没有出五模方案，英特
尔(原英飞凌)则更慢，要年底量产。所以，目前高通的出货量占据了国内手机厂商需求的九成以上，但也要配额制，供应很紧张。除了主芯片缺货，RF器件中Skyworks的一款前端器件天线开关也缺得厉害。
另一方面，国内手机厂商一窝蜂地扑向4G手机，在宇龙酷派的4G手机高出货的带领下(据悉其LTE手机Q2的出货预期是550
万)，手机制造商纷纷提升4G手机出货预期，这也导致了目前4G套片的紧缺。在这样的情况下，大家不会在高通一家厂商的树下吊死，而会去寻找其它LTE供
应商。
除上述几家海外厂商外，展讯与联芯科技已可提供四模的LTEMODEM；海思的五模LTE芯片据说会开始尝试向华为以外的手机厂商
供货；而中兴通讯的28nm五模LTEMODEM也刚刚宣布可以量产，有可能会与国内某家领先的AP芯片厂商合作，向除中兴以外的开放市场供货。在如此复
杂的情况下，手机厂商将会排位在哪一家供应商的后面呢？今天我们分别从技术和商用状态来分析下。
先看看LTE技术的最新进展。毋庸置疑，前不久巴塞罗拉举办的世界移动通信大会(MWC)成为LTE最新技术进展的指向标，各家纷纷展示了最新LTE技术和商用进展。
高通将LTE推向Cat6，广播与直连业务是新热点
移动通信大会上，高通领先业界对手，展示了LTECAT6最新技术将带来的与CAT4不同的应用：广播业务与直连业务，并且在韩国电信的展台上，与三星一起展示了基于LTECAT6的DEMO，这是全球首次展示LTECAT6产品。
“美国高通技术公司与三星、SK电信及KT合作，在2014年移动通信世界大会上通过三星GalaxyNote3智能手机完成世界
上首次LTEAdvancedCategory6连接(下载速度最高达300Mbps)的现场演示。此次演示中使用的三星GalaxyNote3智能手机
专为演示进行了特别的改进，采用了美国高通技术公司业界领先的技术，包括高通骁龙805处理器和高通Gobi9x35调制解调器。”美国高通技术公司市场
高级总监PeterCarson表示。Gobi9x35是高通第四代3G/LTE多模解决方案，同时也是首个宣布商用的基于20纳米工艺的蜂窝调制解调
器。此外，Gobi9x35还支持LTETDD和FDD网络上最高40MHz的全球载波聚合部署，并支持向后兼容。
LTECAT6除了提升速度外，它的另两个重要的业务是LTEDirect和LTE广播业务，这将为营运商和用户带来新的体验与价值。
展会上，高通宣布与德国电信合作将进行首个LTEDirect运营商试验。“LTEDirect有望成为运营商自有且支持下一代近距离服务的平台。”PeterCarson表示。LTEDirect是一个端到端发现平台，可在保证隐私及电池效
率的同时，持续发现数以千计的终端及服务。借助LTE技术，平台能够实现不间断的自动寻找，这项具有扩展性的功能可以突破现今封闭的用户群体，为发现和连
接近距离同类终端提供一个通用框架。“这次试验将使用高通技术及三星电子提供的试验终端，以及支持LTEDirect的基站。”他解
释，3GPPRelease12中有关LTEDirect的标准制订预计将于今年年底完成。LTEDirect比目前受欢迎的Wi-FiDirect直连
范围大，并且基于微蜂窝技术，干扰小。
LTEBroadcast(广播)技术则是在某些特定应用中可以非常高效地利用频谱资源，比如在球赛等赛事的广播。LTEBroadcast类似传统广播电视，不过更复杂，它能够传送更多的内容和服务给移动终端用户，并有效地利用LTE网络。而春节前，KT启动了全球首个LTEBroadcast(eMBMS)商用服务，向其三星GalaxyNote3用户传输移动电视内容，用户并不需要为此付出数据费用。
以上两种技术是最新的LTECAT6才支持的技术，高通会最早出商用芯片，“基于CAT6的数据卡与路由器会先上市，预计会是今年二季度。”Peter说道，“基于CAT6的智能手机终端预计会在今年三季度上市。”
除了在基带上的不断创新外，此次高通为LTE射频技术也带来一个巨大的进步——就是将CMOSPA成功应用到LTE的智能手机。
“我们在多年前曾预料到LTE发展过程中会有的一个重大问题：由于LTE需要大量频段支持，所以PA等射频前端器件将是一个大的挑战。很多PA开发人员都
不相信CMOSPA，只相信GaAs工艺。他们不相信CMOSPA可以用于LTE，表示只能在一些低端的2G手机上采用。”他表示，“但是，我们通过借助
调制解调器智能实现更精准的天线匹配判断，更好地利用天线调谐器降低包络追踪器的功耗，在天线调谐器方面，我们知道信号传递遇到了什么类型的障碍。所以，
我们成功地开发出能支持多频多模的CMOSPA，并于MWC第一天，正式宣布与中兴联合发布了首款CMOSPA的LTE智能手机。”
CMOSPA及射频器件带来的是对于LTE/4G多模多频更高集成度的支持，相对于传统的GaAs工艺，集成度具有大的飞跃，可以节约高达50%的RF前端电路板面积。“CMOS能够更好地集成PA和开关技术，所以我们能够通过仅仅一块硅片，实现多个频段、多模式的2G、3G和4GPA与开关集成，GaAs则不行。”Peter解释。
当然，这次MWC上最吸引眼球的还是高通推出集成八核64位处理器的LTE芯片骁龙615，它直接集成了8个ARM最新的64位内
核A53，也就是8个64位的小核。这一风格与高通以往的风格大不一样，也引起业内的口水一堆。而高通发言人在MWC现场答记者问时的观点更是引爆业界，
他说：“我们认为八核的骁龙615与四核的骁龙610性能并没有太大的差异，但是有些消费者认可八核，所以我们听从消费者的声音，推出64位八核的
LTESoC产品。”这一观点明显是有所指。这两款最新的LTE芯片都支持LTEBroadcast和LTE双卡双通(DSDA)等新要求。
令大家猜测的是，高通基于自己内核Kraite的64位处理器何时能出来？发言人并没有给出明确的答复。但是对于大家关注的骁龙610和615的QRD方案(也就是Turnkey)何时出？