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ST扩大STripFET技术的高效功率晶体管系列

 横跨多重电子应用领域、全球领先的功率芯片供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)扩大采用第六代STripFET?技术的高效功率晶体管的产品系列,为设计人员在提高各种应用的节能省电性能带来更多选择。

  最新的STripFET VI DeepGATE 功率MOSFET可承受高达80V的电压,可用于太阳能发电应用(如微型逆变器)、电信设备、联网设备以及服务器电源。高额定电压可准许晶体管在48V电信应用中稳定工作,高能效还可有效降低运营商网络成本。此外,这项技术不仅可降低消费电子的电源能耗,在可使其在更低的温度下工作,从而提高用户的使用体验,并延长电池寿命。

  首批推出的5款产品分别为60V 的STP260N6F6和STH260N6F6-2、75V的 STP210N75F6 和STH210N75F6-2以及80V的STL75N8LF6。由于采用了意法半导体最新的DeepGATE?沟道MOSFET架构,这五款产品拥有业界同类产品最低的单位芯片面积通态电阻。这些低损耗器件选择多种微型工业标准封装,使客户能够提高系统能效,同时降低印刷电路板的尺寸和总体组件数量/成本。

  主要特性:

  · 60V和80V击穿电压

  · 0.0016Ω通态电阻 (STH260N6F6-2)

  · 180A额定电流 (STx260F6N6)

  · 100%雪崩测试

  采用TO-220封装的STP260N6F6、STP210N75F6与采用H2PAK-2贴装的STH210N75F6-2、STH260N6F6-2 目前已上市。

  采用PowerFLAT 5x6封装的STL75N8LF6预计于2011年第三季度推出样片。PowerFLAT封装可缩减芯片的占板空间,同时优化输出电流。

  


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