韩系半导体大厂三星电子(SamsungElectronics)和SK海力士(SKHynix)持续扩大尖端DRAM和NANDFlash产线，2014年受到半导体市场荣景带动对产线投资而荷包满满的设备业者，预期2015年也将迎来亮眼的业绩。
据ETNews报导，三星和SK海力士2015年可望为扩充DRAM、NANDFlash、系统芯片产线而执行投资。因转换微细制程，导致生产量减少，且伺服器DRAM、PCDRAM、PCDRAM和NANDFlash需求增加。
三星17产线将于2015年启动DRAM设备投资。原本韩国设备业者预期可在2014年内执行，然仍延迟了1年。三星17产线为两层楼结构的厂房，2015年第3季可具备每年60万~75万片晶圆的生产规模。
大陆西安的三星NANDFlash产线也将扩大，西安厂为可生产10纳米级VNAND的尖端产线。2015年第1季每月产能约20万~30万片，2015年底将扩充生产设备，到每月产能70万片的规模。
三星为采最新14纳米鳍式场效电晶体(FinFET)制程生产系统芯片，也有计划执行设备投资。除美国外，韩国厂房也将于2015年启动投资计划。
SK海力士京畿道利川M14产线将在2015年下半完工，现有M10产线设备将移转到M14产线，并采购新设备。除未来将致力推动的NANDFlash外，SK海力士是否会对系统芯片领域执行新投资，吸引韩国业界关注。
韩半导体前、后段制程设备业者对2015年市场怀抱高度期待。过去几年间找不到成长机会的后段制程设备业者，因韩国及大陆业者的投资，2014年纷纷创造了有史以来最高的业绩纪录。这些设备厂商期望2015年和维持和2014年相同水准，或更好的业绩。